想不到！不斷攪拌讓晶體生長更快更大
發(fā)布日期： 2020-03-19 供稿：中國科學報
編輯：吳楠 審核：劉曉俏 閱讀次數(shù)：原文標題：想不到！不斷攪拌讓晶體生長更快更大
原文鏈接：http://news.sciencenet.cn/sbhtmlnews/2020/3/354007.shtm
近日，北京理工大學化學與化工學院教授孫建科與韓國基礎科學研究院合作，在《自然》發(fā)表了題為《聚電解質(zhì)溶液剪切流場促進晶體生長》的研究，提出了利用剪切驅(qū)動的封閉系統(tǒng)恒溫結晶方法。
制備高質(zhì)量且粒徑尺寸合適的單晶，在有機合成以及制藥等相關行業(yè)至關重要。高質(zhì)量的單晶生長通常需要數(shù)小時至數(shù)天，且在此期間要避免外界環(huán)境擾動。基于傳統(tǒng)的結晶學理論，機械攪拌和剪切流容易引起二次成核，不利于晶體生長。
該項研究突破了上述認知，發(fā)現(xiàn)在聚離子液體（PIL，一類聚電解質(zhì)材料）存在的環(huán)境中，不斷地攪拌會讓晶體生長得更快、更大。
該方法以小分子均苯三甲酸結晶為例，在咪唑類聚離子液體（3—氰甲基—1—乙烯基咪唑雙〈三氟甲烷磺?！祦啺符}聚合物存在下，經(jīng)過10分鐘的攪拌（400轉/分鐘），均苯三甲酸晶體的平均尺寸可達到440微米，較相同條件下不攪拌的體系獲得的晶體平均尺寸增長了171倍，該方法也遠快于傳統(tǒng)的室溫揮發(fā)方法。
此外，該方法具有普適性，對無機、有機、無機—有機雜化晶體，甚至一些蛋白質(zhì)晶體都具有促進生長的效果。相對于傳統(tǒng)方法，該方法還能有效提升多孔晶態(tài)材料的比表面積。
進一步的機理研究表明，在剪切力場下晶體加速生長，可歸納為如下兩種因素的協(xié)同作用：在剪切應力下，聚離子液體高分子鏈段會展開/拉伸，競爭溶劑分子，導致溶質(zhì)的溶解度降低，結晶析出；局部剪切速率跟顆粒尺寸成正比，晶體尺寸越大，晶體的生長速率越快。
據(jù)悉，該方法是對當前晶體生長技術的一個重要補充，有望大大降低材料加工和制藥業(yè)中晶體生長成本。
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